KotakGame

Samsung Electronics Mengadakan Memory Tech Day 2023 dengan Menghadirkan Inovasi Baru Untuk Memimpin Era AI Hyperscale.

Teknologi dan produk baru termasuk HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2, dan Detachable AutoSSD untuk mempercepat inovasi untuk kebutuhan komputasi di masa depan.

Sistem cloud saat ini berevolusi untuk mengoptimalkan sumber daya komputasi, yang membutuhkan memori berkinerja tinggi untuk menangani kapasitas tinggi, bandwidth, dan kemampuan penyimpanan virtual. Dengan memanfaatkan keahlian Samsung dalam mengkomersialkan HBM2 yang pertama di industri dan membuka pasar HBM untuk komputasi berkinerja tinggi (HPC) pada tahun 2016, perusahaan hari ini mengumumkan DRAM HBM3E generasi berikutnya, yang diberi nama Shinebolt.

Shinebolt dari Samsung akan mendukung aplikasi AI generasi mendatang, meningkatkan total biaya kepemilikan (TCO) dan mempercepat pelatihan dan inferensi model AI di pusat data. HBM3E menawarkan kecepatan yang mengesankan yaitu 9,8 gigabit-per-detik (Gbps) per kecepatan pin, yang berarti dapat mencapai kecepatan transfer hingga lebih dari 1,2 terabyte-per-detik (TBps).

Untuk memungkinkan tumpukan lapisan yang lebih tinggi dan meningkatkan karakteristik termal, Samsung telah mengoptimalkan teknologi non-conductive film (NCF) untuk menghilangkan kesenjangan antara lapisan chip dan memaksimalkan konduktivitas termal.

Produk HBM3 8H dan 12H Samsung saat ini sedang dalam produksi massal dan sampel untuk Shinebolt telah dikirim ke pelanggan. Dengan mengandalkan kekuatannya sebagai penyedia solusi semikonduktor total, perusahaan ini juga berencana untuk menawarkan layanan siap pakai khusus yang menggabungkan HBM generasi mendatang, teknologi pengemasan canggih, dan penawaran pengecoran secara bersamaan.

Baca ini juga :

» [RUMOR] Bocoran Desain Samsung S24 Ultra, Udah Gak Pakai Layar Curve Lagi?
» HP Samsung Makin Cocok Buat Fotografer nih, Samsung Hadirkan Fitur ND Filter dalam Aplikasi Expert RAW!
» Tak Mau ketinggalan! Samsung Umumkan Generative AI : Samsung Gauss
» "Hampir Semua Konsumen Happy" Adalah Alasan Samsung Galaxy S23 FE Pakai Chipset Exynos
» Bukan Snapdragon 8 Gen 1, Samsung Galaxy S23 FE Masuk Indonesia dengan Chipset Exynos 2200

Produk lain yang disorot pada acara tersebut termasuk DRAM DDR5 32Gb dengan kapasitas tertinggi di industri, GDDR7 32Gbps pertama di industri, dan PBSSD berskala petabyte, yang menawarkan peningkatan yang signifikan pada kemampuan penyimpanan untuk aplikasi server.

Selain berita utama di atas, KOTAKGAME juga punya video menarik yang bisa kamu tonton di bawah ini.